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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0211933 (2005-08-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 77 인용 특허 : 222 |
The benefits of strained semiconductors are combined with silicon-on-insulator approaches to substrate and device fabrication.
What is claimed is: 1. A structure comprising: a substrate having a dielectric layer disposed thereon; and a fin-field-effect transistor disposed over the substrate, the fin-field-effect-transistor including: a source region and a drain region disposed in contact with the dielectric layer, the sour
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