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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0118781 (2005-05-02) |
우선권정보 | FI-20045171(2004-05-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 7 |
Control circuit for an IGB transistor, which comprises means (T1, V1, C3, C4) for generating auxiliary voltage, a first and a second controllable control switches (V8) connected in series between the auxiliary voltage, and a gate resistor (Rg). The control circuit further comprises a boost capacitor
The invention claimed is: 1. A control circuit for an IGB transistor, comprising: means for generating an auxiliary voltage, the auxiliary voltage being generated so as to contain an intermediate voltage level to which an emitter or an auxiliary emitter of the IGB transistor is arranged to be conne
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