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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0863529 (2004-06-09) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 30 인용 특허 : 163 |
A non-volatile electrically erasable programmable read only memory (EEPROM) capable of storing two bit of information having a nonconducting charge trapping dielectric, such as silicon nitride, sandwiched between two silicon dioxide layers acting as electrical insulators is disclosed. A left and a r
What is claimed is: 1. A nitride read only memory (NROM) cell comprising: a charge trapping region comprising at least a nitride layer; a drain region and a source region; and a first and a second charge storage area within said nitride layer, said first charge storage area being close to said dra
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