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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0834247 (2004-04-29) |
우선권정보 | JP-2003-125106(2003-04-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 54 인용 특허 : 3 |
When the occurrence of the bowing is controlled through the etching conditions, a change in etching conditions causes the bowing. Another problem is a requirement of the larger-sized apparatus for the substrate with a larger diameter in order to allow a whole substrate being subjected equally to th
What is claimed is: 1. A method of manufacturing a semiconductor device to fabricate, by performing dry etching, an opening with an aspect ratio of not less than 13 in a first insulating film of an oxide of silicon which is formed on a basic substance so as to reach said basic substance; which comp
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