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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0127266 (2002-04-22) |
우선권정보 | JP-2001-132696(2001-04-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 11 |
A semiconductor device according to the present invention comprises a substrate; a copper interconnect layer formed on the top surface side of the substrate; an aluminum bonding pad formed on the top surface side of the copper interconnect layer with an aluminum-based material; and an aluminum inter
What is claimed is: 1. A semiconductor device comprising a copper layer having a bonding portion, an insulating layer covering said copper layer, a first hole selectively formed in said insulating layer to expose said bonding portion of said copper layer, an aluminum layer, a first portion of which
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