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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0045684 (2005-01-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 85 |
A method of plasma assisted CO2 cleaning for dry removal of residual photoresist and sidewall polymer with an etch gas mixture comprising fluorine containing gas, oxygen and hydrogen in N2 or H2O. The process removes polymer residues present on a metal layer on a substrate and on the sidewalls of me
What is claimed is: 1. A method for removing residue materials containing a polymer in a post metal etch process, comprising the steps of: introducing a substrate having a patterned etched metal layer into a plasma chamber; generating plasma from a gas comprising one or more fluorine compound conta
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