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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0904827 (2004-12-01) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 6 인용 특허 : 17 |
A cap nitride stack which prevents etch penetration to the HDP nitride while maintaining the electromigration benefits of HDP nitride atop Cu. In one embodiment, the stack comprises a first layer of HDP nitride and a second layer of a Si--C--H compound disposed over the first layer. The Si--C--H co
What is claimed is: 1. Capping layer for an interconnect structure comprising an interlevel dielectric (ILD) material and a copper conductor embedded in a surface of the ILD, the capping layer comprising: a first layer comprising a material selected from the group consisting of HDP nitride, silicon
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