최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0264462 (2002-10-03) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 5 |
A method of forming a protective layer over a metal filled semiconductor feature to prevent metal oxidation including providing a semiconductor process wafer comprising an insulating dielectric layer having an opening for forming a semiconductor feature; blanket depositing a metal layer over the ope
What is claimed is: 1. A method of forming a protective layer over a copper filled semiconductor feature to prevent copper oxidation comprising the steps of: providing a semiconductor process wafer comprising an insulating dielectric layer comprising an opening extending through a thickness thereof
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.