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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0285860 (2002-11-01) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 11 |
Diamond like carbon silicon on insulator substrates and methods of fabrication thereof are disclosed. In one form, a process for creating a composite structure for fabricating an electronic device is disclosed. The process includes forming a first diamond-like carbon layer on a substrate and couplin
What is claimed is: 1. A process for forming a silicon on insulator substrate for use in fabricating an electronic device, the process comprising: forming a diamond like carbon layer over a semiconductor substrate comprising a device side and a non-device side, wherein the diamond-like carbon layer
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