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Fabrication of semiconductor devices 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/44
  • H01L-021/02
출원번호 US-0459699 (2003-06-11)
발명자 / 주소
  • Shepard,Daniel R.
출원인 / 주소
  • Contour Semiconductor, Inc.
대리인 / 주소
    Goodwin Procter LLP
인용정보 피인용 횟수 : 33  인용 특허 : 15

초록

초록이 없습니다.

대표청구항

대표청구항이 없습니다.

이 특허에 인용된 특허 (15)

  1. Taussig, Carl; Elder, Richard, Addressing and sensing a cross-point diode memory array.
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  2. Lou Chine-Gie,TWX, Copper damascene manufacturing process.
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  3. Kuekes Philip J. ; Williams R. Stanley, Demultiplexer for a molecular wire crossbar network (MWCN DEMUX).
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  4. Shepard Daniel R. (88 Union St. Portsmouth NH 03801), Dual-addressed rectifier storage device.
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  5. Shepard, Daniel R., Fabrication of semiconductor devices.
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  6. Nakamoto Masayuki,JPX, Field emission cold-cathode device and method of manufacturing the same.
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  7. Harshfield Steven T., Method of making an integrated circuit electrode having a reduced contact area.
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  8. Carl Taussig, Methods for reducing the number of interconnects to the PIRM memory module.
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  9. Carey David H. (Austin TX), Methods of forming channels and vias in insulating layers.
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  10. Carl Taussig ; Richard Elder, Parallel access of cross-point diode memory arrays.
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  11. Kohyama Yusuke,JPX, Semiconductor device using dual damascene technology and method for manufacturing the same.
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  12. Dennison Charles H. (Boise ID), Semiconductor electrical interconnection methods.
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  13. Wang Qingsu ; Barnett Gerald ; Greig R. Michael ; Cheng Yi, System and method for performing real time data acquisition, process modeling and fault detection of wafer fabrication p.
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  14. Taussig, Carl; Elder, Richard, Techniques for addressing cross-point diode memory arrays.
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  15. Gonzalez Fernando ; Turi Raymond A. ; Wolstenholme Graham R. ; Ingalls Charles L., Three-dimensional container diode for use with multi-state material in a non-volatile memory cell.
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이 특허를 인용한 특허 (33)

  1. Sung, Chien-Min, Doped diamond LED devices and associated methods.
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  2. Shepard, Daniel R., Dual-addressed rectifier storage device.
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  3. Miller, Steven A.; Gaydos, Mark; Shekhter, Leonid N.; Gulsoy, Gokce, Dynamic dehydriding of refractory metal powders.
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  4. Miller, Steven A.; Gaydos, Mark; Shekhter, Leonid N.; Gulsoy, Gokce, Dynamic dehydriding of refractory metal powders.
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  5. Miller, Steven A.; Gaydos, Mark; Shekhter, Leonid N.; Gulsoy, Gokce, Dynamic dehydriding of refractory metal powders.
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  6. Miller, Steven A.; Kumar, Prabhat; Wu, Richard; Sun, Shuwei; Zimmermann, Stefan; Schmidt-Park, Olaf, Fine grained, non banded, refractory metal sputtering targets with a uniformly random crystallographic orientation, method for making such film, and thin film based devices and products made therefrom.
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  7. Dary, Francois-Charles; Gaydos, Mark; Loewenthal, William; Miller, Steven A.; Rozak, Gary; Volchko, Scott Jeffrey; Zimmermann, Stefan; Stawovy, Michael Thomas, Large-area sputtering targets.
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  8. Shepard, Daniel R., Low cost high density rectifier matrix memory.
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  9. Shepard, Daniel R., Low cost high density rectifier matrix memory.
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  10. Miller, Steven A.; Kumar, Prabhat, Low-energy method of manufacturing bulk metallic structures with submicron grain sizes.
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  11. Nestler, Eric, Memory array with readout isolation.
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  12. Nestler, Eric, Memory array with readout isolation.
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  13. Nestler, Eric, Memory array with readout isolation.
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  14. Zimmermann, Stefan; Papp, Uwe; Kreye, Heinrich; Schmidt, Tobias, Method for coating a substrate surface and coated product.
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  15. Miller, Steven A.; Schmidt-Park, Olaf; Kumar, Prabhat; Wu, Richard; Sun, Shuwei; Zimmermann, Stefan, Methods of forming sputtering targets.
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  16. Miller, Steven A.; Shekhter, Leonid N.; Zimmerman, Stefan, Methods of joining metallic protective layers.
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  17. Miller, Steven A.; Shekhter, Leonid N.; Zimmermann, Stefan, Methods of joining metallic protective layers.
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  18. Miller, Steven A.; Shekhter, Leonid N.; Zimmermann, Stefan, Methods of joining metallic protective layers.
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  19. Miller, Steven A.; Shekhter, Leonid N.; Zimmerman, Stefan, Methods of joining protective metal-clad structures.
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  20. Volchko, Scott Jeffrey; Zimmermann, Stefan; Miller, Steven A.; Stawovy, Michael Thomas, Methods of manufacturing high-strength large-area sputtering targets.
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  21. Loewenthal, William; Miller, Steven Alfred, Methods of manufacturing large-area sputtering targets.
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  22. Miller, Steven A.; Dary, Francois-Charles; Gaydos, Mark; Rozak, Gary, Methods of manufacturing large-area sputtering targets by cold spray.
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  23. Volchko, Scott Jeffrey; Loewenthal, William; Zimmermann, Stefan; Gaydos, Mark; Miller, Steven Alfred, Methods of manufacturing large-area sputtering targets using interlocking joints.
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  24. Volchko, Scott Jeffrey; Loewenthal, William; Zimmermann, Stefan; Gaydos, Mark; Miller, Steven Alfred, Methods of manufacturing large-area sputtering targets using interlocking joints.
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  25. Miller, Steven A.; Kumar, Prabhat; Wu, Rong-chein Richard; Sun, Shuwei; Zimmermann, Stefan; Schmidt-Park, Olaf, Methods of rejuvenating sputtering targets.
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  26. Miller, Steven A.; Schmidt-Park, Olaf; Kumar, Prabhat; Wu, Richard; Sun, Shuwei; Zimmerman, Stefan, Methods of rejuvenating sputtering targets.
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  27. Shepard, Daniel R., Non-linear conductor memory.
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  28. Shekhter, Leonid N.; Miller, Steven A.; Haywiser, Leah F.; Wu, Rong-Chein R., Process for preparing metal powders having low oxygen content, powders so-produced and uses thereof.
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  29. Shekhter, Leonid N.; Miller, Steven A.; Haywiser, Leah F.; Wu, Rong-Chein Richard, Process for preparing metal powders having low oxygen content, powders so-produced and uses thereof.
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  30. Miller, Steven A.; Shekhter, Leonid N.; Zimmerman, Stefan, Protective metal-clad structures.
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  31. Shepard, Daniel R., Sequencing decoder circuit.
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  32. Sung, Chien-Min, Substrate surface modifications for compositional gradation of crystalline materials and associated products.
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  33. Sung, Chien-Min, Substrate surface modifications for compositional gradation of crystalline materials and associated products.
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