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Memory cell sensing with low noise generation 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • G11C-007/02
  • G11C-014/00
  • G11C-008/00
  • G06F-012/00
  • G06F-017/50
출원번호 US-0029916 (2005-01-04)
발명자 / 주소
  • Raszka,Jaroslav
  • Tiwari,Vipin Kumar
출원인 / 주소
  • Virage Logic Corporation
대리인 / 주소
    Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman, LLP
인용정보 피인용 횟수 : 3  인용 특허 : 48

초록

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대표청구항

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이 특허에 인용된 특허 (48)

  1. Atsumi Shigeru (Tokyo JPX) Tanaka Sumio (Tokyo JPX) Miyamoto Junichi (Yokohama JPX), 2-cell/1-bit type EPROM.
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  2. Wen-Jer Tsai TW; Nian-Kai Zous TW; Ta-Hui Wang TW, Accelerated testing method and circuit for non-volatile memory.
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  3. Raszka, Jaroslav; Pandey, Rohit, Built-in precision shutdown apparatus for effectuating self-referenced access timing scheme.
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  4. Li Xiao-Yu ; Barsan Radu ; Mehta Sunil D., Data retention of EEPROM cell with shallow trench isolation using thicker liner oxide.
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  5. Li Xiao-Yu ; Barsan Radu ; Mehta Sunil D., Data retention of EEPROM cell with shallow trench isolation using thicker liner oxide.
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  6. Rosenthal Bruce D. (Los Gatos CA), Differential analog memory cell and method for adjusting same.
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  7. Raszka Jaroslav, Dual port memory device with vertical shielding.
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  8. Ohsawa Takashi (Yokohama JPX), Dynamic type semiconductor memory device.
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  9. Han, Kim-Kwong Michael; Derhacobian, Narbeh; Raszka, Jaroslav, Electrically-alterable non-volatile memory cell.
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  10. Alexander Shubat ; Adam Kablanian ; Jaroslav Raszka ; Richard S. Roy, Fast read/write cycle memory device having a self-timed read/write control circuit.
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  11. Roohparvar, Frankie Fariborz; Widmer, Kevin C., Flash memory with RDRAM interface.
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  12. Ma Yueh Yale, High density single poly metal-gate non-volatile memory cell.
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  13. Wang Hai, Intelligent refreshing method and apparatus for increasing multi-level non-volatile memory charge retention reliability.
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  14. Kim Sam Soo,KRX ; Jun Yong Hyun,KRX, Internal voltage generating circuit for semiconductor memory apparatus.
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  15. Jaroslav Raszka, Low power read circuitry for a memory circuit based on charge redistribution between bitlines and sense amplifier.
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  16. Raszka, Jaroslav; Tiwari, Vipin Kumar, Memory cell sensing with low noise generation.
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  17. Leonard Forbes, Memory circuit and method of using same.
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  18. Raad George B., Method and circuit for sharing sense amplifier drivers.
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  19. Maiti Bikas ; Tobin Philip J. ; Ajuria Sergio A., Method for forming a semiconductor device having a nitrided oxide dielectric layer.
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  20. Ghneim Said N. ; Fulford ; Jr. H. Jim, Method of making non-volatile memory device having a floating gate with enhanced charge retention.
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  21. Yamauchi Yoshimitsu (Nara JPX), Method of operating a semiconductor memory device.
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  22. Mototaka Kuribayashi JP; Masaaki Yamada JP; Hideki Takeuchi JP, Method of reducing circuit data, method of simulating circuit, and medium for storing circuit data reduction program.
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  23. Raszka, Jaroslav, Methods and apparatuses for maintaining information stored in a non-volatile memory cell.
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  24. Shubat,Alexander; Raszka,Jaroslav, Methods and apparatuses for test circuitry for a dual-polarity non-volatile memory cell.
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  25. Hashimoto Kiyokazu (Tokyo JPX), Multi-stage ROM wherein a cell current of a selected memory cell is compared with a plurality of constant currents when.
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  26. Rahim Irfan, Non-volatile memory cell having a high coupling ratio.
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  27. Ghneim Said N. ; Fulford ; Jr. H. Jim, Non-volatile memory device having a floating gate with enhanced charge retention.
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  28. Kato Hideo,JPX ; Sugiura Nobutake,JPX ; Uchigane Kiyotaka,JPX ; Asano Masamichi,JPX, Non-volatile semiconductor memory device.
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  29. Tanaka Toshiaki,JPX, Non-volatile semiconductor memory device having electrically programable memory matrix array.
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  30. Iwahashi Hiroshi (Yokohama JPX) Asano Masamichi (Musashino JPX), Nonvolatile semiconductor memory device.
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  31. Takafumi Maruyama JP; Makoto Kojima JP, Nonvolatile semiconductor memory device.
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  32. Tanaka Sumio (Tokyo JPX) Atsumi Shigeru (Tokyo JPX) Saito Shinji (Yokohama JPX), Nonvolatile semiconductor memory device.
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  33. Kim Jin-ki (Seoul KRX) Suh Kang-deog (Anyang KRX), Nonvolatile semiconductor memory device and an optimizing programming method thereof.
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  34. Chang Shang-De Ted, PMOS single-poly non-volatile memory structure.
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  35. Pascucci Luigi,ITX, Pre-charge step determining circuit of a generic bit line, particularly for non-volatile memories.
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  36. Imamiya Keniti (Yokohama JPX) Tanaka Sumio (Oomorinishi JPX) Miyamoto Junichi (Yokohama JPX) Atsumi Shigeru (Tokyo JPX) Iyama Yumiko (Yokohama JPX) Ohtsuka Nobuaki (Yokohama JPX), Reference setting circuit for determining written-in content in nonvolatile semiconductor memories.
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  37. Akiba Takesada,JPX ; Otori Hiroshi,JPX ; Nakamura Masayuki,JPX ; Hyslop Adin, Semiconductor integrated circuit device having means for peak current reduction.
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  38. Tsukasa Ooishi JP, Semiconductor memory device.
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  39. Tanaka Sumio (Tokyo JPX), Semiconductor nonvolatile memory apparatus including threshold voltage shift circuitry.
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  40. Okamoto Toshiharu,JPX, Semiconductor storage device.
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  41. Kim Moo Suk,KRX, Sense amplifier driving device.
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  42. La Rosa Francesco,ITX, Sense amplifier for non-volatile memory devices.
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  43. Fujishima Kazuyasu (Hyogo JPX) Matsuda Yoshio (Hyogo JPX) Arimoto Kazutami (Hyogo JPX) Ooishi Tsukasa (Hyogo JPX) Tsukude Masaki (Hyogo JPX), Shared-sense amplifier control signal generating circuit in dynamic type semiconductor memory device and operating metho.
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  44. Chen Chun-Lin,TWX ; Wang Ting-S.,TWX ; Chen Juinn-Sheng,TWX, Single poly non-volatile memory structure and its fabricating method.
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  45. John A. Fifield ; Wing K. Luk ; Daniel W. Storaska, Stabilized direct sensing memory architecture.
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  46. Andrea Baschirotto IT; Paolo Cusinato IT, Switched-capacitor, fully-differential operational amplifier with high switching frequency.
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  47. Hirabayashi, Osamu, Synchronous semiconductor memory device.
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  48. van Velthoven Armand J. (Manitou Springs CO), Volatile/non-volatile dynamic RAM system.
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이 특허를 인용한 특허 (3)

  1. Kimmich, Franz; Lindinger, Andreas; Rombach, Gerhard, Method and control unit for operating a volatile memory, circuit arrangement, and trip recorder.
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  2. Palumbo,William; Thukral,Rahul; Zhang,Xian, Method and system for pre-charging and biasing a latch-type sense amplifier.
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  3. Murphy, Richard C., Processing in memory (PIM) capable memory device having sensing circuitry performing logic operations.
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