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Organic semiconductor material and organic electronic device 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-035/24
  • H01L-035/12
출원번호 US-0396512 (2003-03-26)
우선권정보 JP-2002-089425(2002-03-27); JP-2002-104639(2002-04-08)
발명자 / 주소
  • Aramaki,Shinji
  • Ono,Noboru
출원인 / 주소
  • Mitsubishi Chemical Corporation
대리인 / 주소
    Miblon, Spivak, McClelland, Maier & Neustadt, P.C.
인용정보 피인용 횟수 : 12  인용 특허 : 4

초록

초록이 없습니다.

대표청구항

대표청구항이 없습니다.

이 특허에 인용된 특허 (4)

  1. Niedballa Ulrich (Berlin DEX) Weinmann Hanns-Joachim (Berlin DEX) Gries Heinz (Berlin DEX) Conrad Jrgen (Berlin DEX) Hofmann Sabina (Berlin DEX) Speck Ulrich (Berlin DEX), Mesotetraphenylporphyrin complex compounds, process for their production and pharmaceutical agents containing them.
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  2. Platzek Johannes,DEX ; Niedballa Ulrich,DEX ; Raduechel Bernd,DEX, Paramagnetic 3-,8-substituted deuteroporphyrin derivatives, pharmaceutical agents that contain the latter, process for their production, and their use for MR imaging of necrosis and infarction.
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  3. Bessey William E. ; Rumierz Gerald Peter ; Felton Clinton Dale, Rigid fiber network structures having improved post-yield dimensional recovery, method of making same, and articles inc.
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  4. Garnier Francis (Champigny FRX) Horowitz Gilles (Villebon sur Yvette FRX) Fichou Denis (Paris FRX), Thin-layer field-effect transistors with MIS structure whose insulator and semiconductor are made of organic materials.
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이 특허를 인용한 특허 (12)

  1. Aramaki, Shinji; Yoshiyama, Ryuichi; Ohno, Akira; Sakai, Yoshimasa, Field effect transistor.
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  2. Nakayama, Tomonari; Miura, Daisuke, Field effect transistor and method of manufacturing the same.
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  3. Masumoto, Akane; Miura, Daisuke; Nakayama, Tomonari, Field effect transistor and method of producing same.
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  4. Miura, Daisuke; Nakayama, Tomonari; Ohnishi, Toshinobu; Kubota, Makoto; Masumoto, Akane; Tsuzuki, Hidetoshi; Miyachi, Makiko, Field effect transistor, method of producing the same, and method of producing laminated member.
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  5. Miura,Daisuke; Nakayama,Tomonari; Ohnishi,Toshinobu; Kubota,Makoto; Masumoto,Akane; Tsuzuki,Hidetoshi; Miyachi,Makiko, Field effect transistor, method of producing the same, and method of producing laminated member.
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  6. Oseki, Yosuke; Sakai, Yoshimasa; Ohno, Akira, Field-effect transistor, processes for producing the same, and electronic device using the same.
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  7. Kwon, Jae Wan; Wacharasindhu, Tongtawee; Robertson, John David, High energy-density radioisotope micro power sources.
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  8. Kwon, Jae Wan; Wacharasindhu, Tongtawee; Robertson, John David, High energy-density radioisotope micro power sources.
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  9. Tsang, Francis Yu-Hei; Juergens, Tristan Dieter; Harker, Yale Deon; Kwok, Kwan Sze; Newman, Nathan; Ploger, Scott Arden, Nuclear voltaic cell.
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  10. Obata, Katsunari; Hata, Takuya; Nakamura, Kenji; Endoh, Hiroyuki, Organic transistor element, and method of manufacturing the same by concurrently doping an organic semiconductor layer and wet etching an electrode provided on the organic semiconductor layer.
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  11. Nakayama,Tomonari; Masumoto,Akane; Go,Shintetsu; Ohnishi,Toshinobu, Semiconductor device with layer containing polysiloxane compound.
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  12. Wu, Yiliang; Li, Yuning; Ong, Beng S, TFT containing coalesced nanoparticles.
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