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Apparatus and method for plasma processing 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • B23K-010/00
출원번호 US-0487232 (2002-08-29)
국제출원번호 PCT/US02/025955 (2002-08-29)
§371/§102 date 20040226 (20040226)
국제공개번호 WO03/021002 (2003-03-13)
발명자 / 주소
  • Strang,Eric J.
출원인 / 주소
  • Tokyo Electron Limited
대리인 / 주소
    Oblon, Spivak, McClelland, Maier & Neustadt, P.C.
인용정보 피인용 횟수 : 4  인용 특허 : 15

초록

초록이 없습니다.

대표청구항

대표청구항이 없습니다.

이 특허에 인용된 특허 (15)

  1. Collins, Kenneth S., Active species control with time-modulated plasma.
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  2. Raaijmakers, Ivo, Apparatus and method for growth of a thin film.
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  3. Donohoe, Kevin G.; Becker, David S., Gas pulsing for etch profile control.
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  4. Davis Cecil J. (Greenville TX) Spencer John E. (Plano TX) Bonifield Thomas D. (Dallas TX) Jucha Rhett B. (Celeste TX) Stiltz William J. (Anna TX) Johnson Randall E. (Carrollton TX) Whetsel Joseph E. , Isolation substrate ring for plasma reactor.
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  5. Engle George M. (Scottsdale AZ), Method and apparatus for achieving spatially uniform externally excited non-thermal chemical reactions.
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  6. Roche Gregory A. ; Harshbarger William R., Method of chemical vapor deposition in a vacuum plasma processor responsive to a pulsed microwave source.
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  7. Ishii Nobuo (Yamanashi-ken JPX), Plasma processing apparatus.
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  8. Koshimizu Chishio,JPX, Plasma processing apparatus.
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  9. Kaji Tetsunori,JPX ; Tachi Shinichi,JPX ; Otsubo Toru,JPX ; Watanabe Katsuya,JPX ; Mitani Katsuhiko,JPX ; Tanaka Junichi,JPX, Plasma processing apparatus and plasma processing method.
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  10. Arai Izumi,JPX ; Tahara Yoshifumi,JPX ; Nishikawa Hiroshi,JPX ; Mitano Yoshinobu ; Iimuro Shunichi,JPX ; Fukasawa Kazuo,JPX ; Miura Yutaka,JPX ; Hosoda Shozo,JPX, Plasma processing method and plasma processing apparatus.
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  11. Heinecke Rudolf A. (Essex GB3) Ojha Sureshchandra M. (Essex GB3) Llewellyn Ian P. (Essex GB3), Pulsed plasma apparatus and process.
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  12. Heinecke Rudolf A. H. (Harlow GB2) Ojha Suresh M. (Harlow GB2) Llewellyn Ian P. (Harlow GB2), Pulsed plasma process for treating a substrate.
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  13. Chi Kyeong-koo,KRX, Radio frequency generating systems and methods for forming pulse plasma using gradually pulsed time-modulated radio freq.
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  14. Arnold Kholodenko ; Dmitry Lubomirsky ; Guang-Jye Shiau ; Peter K. Loewenhardt ; Shamouil Shamouilian, Semiconductor process chamber having improved gas distributor.
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  15. Lee Hideki,JPX, Vacuum processing apparatus, vacuum processing method, and method for cleaning the vacuum processing apparatus.
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이 특허를 인용한 특허 (4)

  1. Ranjan, Alok; Ko, Akiteru, Method for etching high-K dielectric using pulsed bias power.
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  2. Ranjan, Alok; Ko, Akiteru, Method for etching high-K dielectric using pulsed bias power.
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  3. Ranjan, Alok; Ko, Akiteru, Method for etching high-k dielectric using pulsed bias power.
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  4. Hu, Xiang; Cong, Hai; Yelehanka, Pradeep; Zhou, Mei Sheng, Thin film etching method and semiconductor device fabrication using same.
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