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Memory cells having an access transistor with a source/drain region coupled to a capacitor through an extension 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-027/108
  • H01L-029/76
  • H01L-029/66
  • H01L-029/94
  • H01L-031/119
  • H01L-031/115
출원번호 US-0870811 (2004-06-17)
발명자 / 주소
  • Gonzalez,Fernando
출원인 / 주소
  • Micron Technology, Inc.
대리인 / 주소
    Leffert Jay & Polglaze, PA
인용정보 피인용 횟수 : 2  인용 특허 : 18

초록

초록이 없습니다.

대표청구항

대표청구항이 없습니다.

이 특허에 인용된 특허 (18)

  1. Ohtsuki Sumito (Matsudo JPX), Buried plate type DRAM.
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  2. Henley Francois J. ; Cheung Nathan, Controlled cleavage process and device for patterned films.
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  3. Chao Fang-Ching,TWX, Dual-packed capacitor DRAM cell structure.
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  4. Park Kyucharn,KRX ; Lee Yeseung,KRX ; Ban Cheonsu,KRX ; Lee Kyungwook,KRX, Dynamic access memory using silicon-on-insulator.
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  5. Hieda Katsuhiko (Yokohama JPX) Nitayama Akihiro (Kawasaki JPX) Horiguchi Fumio (Tokyo JPX), Dynamic ram, having an improved large capacitance.
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  6. Nishihara Toshiyuki,JPX, Dynamic random access memory fabricated with SOI substrate.
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  7. Park Kyucharn,KRX ; Lee Yeseung,KRX ; Ban Cheonsu,KRX ; Lee Kyungwook,KRX, Dynamic random access memory using silicon-on-insulator techniques.
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  8. Henley Francois J. ; Cheung Nathan W., Method for controlled cleaving process.
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  9. Park Kyucharn (Kyungki-do KRX) Lee Yeseung (Seoul KRX) Ban Cheonsu (Seoul KRX) Lee Kyungwook (Kyungki-do KRX), Method for making a dynamic random access memory using silicon-on-insulator techniques.
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  10. Morihara Toshinori,JPX, Method of manufacturing a DRAM having an SOI structure.
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  11. Cheung Nathan W. ; Lu Xiang ; Hu Chenming, Method of separating films from bulk substrates by plasma immersion ion implantation.
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  12. Sandhu Gurtej S. (Boise ID) Fazan Pierre C. (Boise ID) Liu Yauh-Ching (Boise ID) Chan Hiang C. (Boise ID), Mushroom double stacked capacitor.
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  13. Bruel Michel (Veurey FRX), Process for the production of thin semiconductor material films.
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  14. Matsuo Naoto (Osaka JPX) Okada Shozo (Kobe JPX) Inoue Michihiro (Ikoma JPX), Semiconductor memory device.
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  15. Kim Jae K. (Kyoungki KRX), Semiconductor memory device having a double-stacked capacitor structure.
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  16. Mashiko Koichiro (Hyogo JPX), Semiconductor memory device having trench and stacked polysilicon storage capacitors.
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  17. Henley Francois J. ; Cheung Nathan W., Silicon-on-silicon hybrid wafer assembly.
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  18. Henley Francois J. ; Cheung Nathan W., Silicon-on-silicon wafer bonding process using a thin film blister-separation method.
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이 특허를 인용한 특허 (2)

  1. Qin, Shu; Li, Li, Methods of implanting dopant ions.
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  2. Qin, Shu; Li, Li, Sputtering-less ultra-low energy ion implantation.
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