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Topotactic anion exchange oxide films and method of producing the same 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C30B-029/16
  • C30B-029/10
출원번호 US-0997014 (2004-11-24)
발명자 / 주소
  • Zurbuchen,Mark A.
출원인 / 주소
  • Zurbuchen,Mark A.
대리인 / 주소
    Wallenstein Wagner & Rockey, Ltd.
인용정보 피인용 횟수 : 14  인용 특허 : 11

초록

초록이 없습니다.

대표청구항

대표청구항이 없습니다.

이 특허에 인용된 특허 (11)

  1. Sankar, Sambasivan; Goyal, Amit; Barnett, Scott A.; Kim, Ilwon; Kroeger, Donald M., Conductive and robust nitride buffer layers on biaxially textured substrates.
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  2. Summerfelt Scott R. (Dallas TX) Beratan Howard R. (Dallas TX), Electrodes comprising conductive perovskite-seed layers for perovskite dielectrics.
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  3. Sambasivan, Sankar; Barnett, Scott A.; Kim, Ilwon; Rechner, John, Epitaxial oxide films via nitride conversion.
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  4. Sambasivan, Sankar; Barnett, Scott A.; Kim, Ilwon; Rechner, John, Epitaxial oxide films via nitride conversion.
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  5. Ramesh, Ramamoorthy; Schlom, Darrell G., Epitaxial template and barrier for the integration of functional thin film metal oxide heterostructures on silicon.
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  6. Glen D. Wilk ; Robert M. Wallace, Hafnium nitride gate dielectric.
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  7. Mullhaupt Joseph Timothy (Waldwick NJ), Process and composition for separation of oxygen from air using Pr-Ce as the carrier.
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  8. Yano Yoshihiko,JPX ; Noguchi Takao,JPX, Substrate structures for electronic devices.
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  9. Wallace Robert M. ; Stoltz Richard A. ; Wilk Glen D., Zirconium and/or hafnium oxynitride gate dielectric.
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  10. Wallace Robert M. ; Stoltz Richard A. ; Wilk Glen D., Zirconium and/or hafnium oxynitride gate dielectric.
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  11. Sambasivan, Sankar; Barnett, Scott A.; Kim, Ilwon; Rechner, John, Zirconium nitride and yttrium nitride solid solution composition.
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이 특허를 인용한 특허 (14)

  1. Goyal, Amit; Wee, Sung-Hun, Buffer layers for REBCO films for use in superconducting devices.
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  2. Goyal, Amit; Paranthaman, Mariappan; Wee, Sung-Hun, Chemical solution seed layer for rabits tapes.
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  3. Bochiechio, Mario P., Coated articles and manufacture methods.
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  4. Bochiechio, Mario P., Coated articles and manufacture methods.
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  5. Simpson, John T.; Lewis, Linda A., Composition for forming an optically transparent, superhydrophobic coating.
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  6. Lee, Chengtsin; Sun, Jennifer Y., Fluoride glazes from fluorine ion treatment.
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  7. Baarman, David W.; Schwannecke, Joshua K.; Taylor, Jr., Roy M.; Norconk, Matthew J.; Stoner, Jr., William T.; Turner, Kaitlyn J.; Berwald, Thomas J.; Miles, Michael E., Flux concentrator and method of making a magnetic flux concentrator.
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  8. Ohashi, Koji; Iwashita, Setsuya; Osawa, Eiji, Liquid ejection head and liquid jet apparatus.
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  9. Lee, Chengtsin; Sun, Jennifer Y., Low temperature fluoride glasses and glazes.
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  10. Wehrhan, Gunther; Martin, Regina; Parthier, Lutz; Staeblein, Joerg; Letz, Martin; Alkemper, Jochen; Knapp, Konrad; Petermann, Klaus, Method for making optical elements for microlithography, the lens systems obtained by the method and their uses.
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  11. Yang, Li; Wang, Kejia; Baraskar, Ashish; Yang, Bin; Liang, Shurong, Methods of forming group III-V semiconductor materials on group IV substrates and the resulting substrate structures.
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  12. Goyal, Amit; Shin, Junsoo, Nanocomposites for ultra high density information storage, devices including the same, and methods of making the same.
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  13. Aytug, Tolga; Simpson, John T.; Christen, David K., Superhydrophobic transparent glass (STG) thin film articles.
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  14. Goyal, Amit, {100}<100> or 45°-rotated {100}<100>, semiconductor-based, large-area, flexible, electronic devices.
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