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Method for driving solid-state image pickup device 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H04N-009/07
출원번호 US-0317056 (1999-05-24)
우선권정보 JP-10-154130(1998-06-03)
발명자 / 주소
  • Nakashiba,Yasutaka
출원인 / 주소
  • NEC Electronics Corporation
대리인 / 주소
    Katten Muchin Rosenman LLP
인용정보 피인용 횟수 : 8  인용 특허 : 20

초록

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대표청구항

대표청구항이 없습니다.

이 특허에 인용된 특허 (20)

  1. Fossum Eric R. ; Nakamura Junichi,JPX ; Kemeny Sabrina E., Active pixel sensor array with simple floating gate pixels.
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  2. Lee Sung Min,KRX, Auto variable anti-blooming bias control circuit and method.
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  3. Tani Nobuhiro,JPX, Driving apparatus of image pick-up device for preventing leakage of accumulated electrical charges.
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  4. Merrill, Richard B.; Mead, Carver A.; Lyon, Richard F., Exposure control in electronic cameras by detecting overflow from active pixels.
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  5. Lambeth David N. (Webster NY), Fill and spill for charge input to a CCD.
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  6. Pain Bedabrata ; Wrigley Chris ; Yang Guang ; Yadid-Pecht Orly,ILX, High speed CMOS imager with motion artifact supression and anti-blooming.
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  7. Chiang Ming-Cheng,TWX, MOS active pixel sensor unit with a shutter.
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  8. Takatsu Norihiko (Tokyo JPX), MOS solid-state image pickup device having vertical overflow drains.
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  9. Tohru Watanabe JP; Shuichi Nakano JP, Method and apparatus for driving solid state image sensor.
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  10. Nakanishi Junji (Itami JPX), Method for driving a linear image sensor.
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  11. Tanaka Takanori (Tokyo JPX), Method for driving two-dimensional CCD imaging device.
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  12. Lee Teh-Hsuang ; Guidash Robert M. ; Lee Paul P., Partially pinned photodiode for solid state image sensors.
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  13. Fossum,Eric R., Photodiode-type pixel for global electronic shutter and reduced lag.
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  14. Asaumi Masaji,JPX ; Matsuda Yuji,JPX, Semiconductor device containing an adjustable voltage generator.
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  15. Watanabe Takashi (Soraku JPX), Solid state imaging device and method of manufacture therefor.
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  16. Endo Yukio (Yokohama JPX) Harada Nozomu (Yokohama JPX), Solid state photovoltaic imaging device with excess charge eliminator.
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  17. Kawahara Atsushi (Kawasaki JPX) Takatsu Norihiko (Kawasaki JPX), Solid-state area imaging device having interline transfer CCD means.
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  18. Suzuki, Masao; Kondo, Kenichi, Solid-state image sensing device including a plurality of photoelectric conversion cells and a charge transfer device including transfer cells greater in number than the photoelectric conversion cell.
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  19. Stevens Eric G. (Rochester NY), Solid-state image sensor.
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  20. Juen Masahiro (Yokohama JPX), Still picture imaging apparatus having an improved automatic exposure control and reduction in power consumption.
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이 특허를 인용한 특허 (8)

  1. Kobayashi, Hirokazu, Method for driving CCD-type solid-state imaging device and imaging apparatus.
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  2. Ueno, Takahisa; Yonemoto, Kazuya; Suzuki, Ryoji; Shiono, Koichi, Solid-state imaging element having image signal overflow path.
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  3. Ueno, Takahisa; Yonemoto, Kazuya; Suzuki, Ryoji; Shiono, Koichi, Solid-state imaging element having image signal overflow path.
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  4. Ueno, Takahisa; Yonemoto, Kazuya; Suzuki, Ryoji; Shiono, Koichi, Solid-state imaging element having image signal overflow path.
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  5. Ueno, Takahisa; Yonemoto, Kazuya; Suzuki, Ryoji; Shiono, Koichi, Solid-state imaging element having image signal overflow path.
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  6. Ueno, Takahisa; Yonemoto, Kazuya; Suzuki, Ryoji; Shiono, Koichi, Solid-state imaging element having image signal overflow path.
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  7. Ueno, Takahisa; Yonemoto, Kazuya; Suzuki, Ryoji; Shiono, Koichi, Solid-state imaging element having image signal overflow path.
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  8. Ueno, Takahisa; Yonemoto, Kazuya; Suzuki, Ryoji; Shiono, Koichi, Solid-state imaging element having image signal overflow path.
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