[특허]Method of growing homoepitaxial silicon carbide

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C30B-023/00
출원번호	US-0047323 (2002-01-14)
발명자 / 주소	Lampert,William V. Eiting,Christopher J. Smith,Scott A. Haas,Trice W.
출원인 / 주소	The United States of America as represented by the Secretary of the Air Force
인용정보	피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 12

초록

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Schultz Peter G. ; Xiang Xiaodong ; Goldwasser Isy, Combinatorial synthesis of novel materials.
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Gruen Dieter M. (Downers Grove IL) Liu Shengzhong (Woodridge IL) Krauss Alan R. (Naperville IL) Pan Xianzheng (Woodridge IL), Diamond film growth from fullerene precursors.
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Sneed John D. (Long Beach CA) Krone-Schmidt Wilfried (Fullerton CA) Slattery Michael J. (Gardena CA) Bowen Howard S. (Los Angeles CA), Method for cleaning surface by heating and a stream of snow.
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Furukawa Katsuki (Sakai JPX) Tajima Yoshimitsu (Nara JPX) Suzuki Akira (Nara JPX), Method for growing a silicon carbide single crystal.
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Shiomi Hiromu,JPX ; Nishino Shigehiro,JPX, Method of making SiC single crystal and apparatus for making SiC single crystal.
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Kito Yasuo,JPX ; Kotanshi Youichi,JPX ; Onda Shoichi,JPX ; Hanazawa Tatuyuki,JPX ; Kitaoka Eiji,JPX, Method of producing single-crystal silicon carbide.
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Powell J. Anthony (North Olmsted OH), Process for the homoepitaxial growth of single-crystal silicon carbide films on silicon carbide wafers.
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Kitabatake Makoto,JPX, SiC device and method for manufacturing the same.
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Kitabatake Makoto,JPX ; Uchida Masao,JPX ; Takahashi Kunimasa,JPX, Silicon carbide substrate, and method for producing the substrate, and semiconductor device utilizing the substrate.
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IPC 상위 출원인

특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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