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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0362892 (2006-02-27) |
등록번호 | US-7259108 (2007-08-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 119 |
Methods for fabricating multi-layer semiconductor structures including strained material layers using a minimum number of process tools and under conditions optimized for each layer. Certain regions of the strained material layers are kept free of impurities that can interdiffuse from adjacent porti
What is claimed is: 1. A method for fabricating a semiconductor structure on a substrate, the substrate having at least one preexisting material layer with a thickness greater than about 200 Angstroms, the method comprising: planarizing the at least one preexisting material layer; cleaning the subs
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