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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0170504 (2005-06-29) |
등록번호 | US-7262107 (2007-08-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 2 |
A manufacturing process modification is disclosed for producing a metal-insulator-metal (MIM) capacitor. The MIM capacitor may be used in memory cells, such as DRAMs, and may also be integrated into logic processing, such as for microprocessors. The processing used to generate the MIM capacitor is a
We claim: 1. A method, comprising: disposing an elongated contact on a semiconductor layout; depositing a material with a high dielectric constant on the semiconductor layout, the material disposed at least over the elongated contact; etching away the material from the semiconductor layout, wherein
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