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Bump electrodes having multiple under ball metallurgy (UBM) layers 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-023/488
  • H01L-023/48
  • H01L-021/44
  • H01L-021/02
출원번호 US-0710419 (2004-07-09)
등록번호 US-7271498 (2007-09-18)
우선권정보 TW-92118830 A(2003-07-10)
발명자 / 주소
  • Huang,Min Lung
출원인 / 주소
  • Advanced Semiconductor Engineering, Inc.
대리인 / 주소
    Jianq Chyun IP Office
인용정보 피인용 횟수 : 9  인용 특허 : 11

초록

The present invention provides a wafer structure having a plurality of bonding pad, an adhesion layer, a barrier layer, a wetting layer, a plurality of bump, a first passivation layer and a second passivation layer. The bonding pads are disposed on the active surface of the wafer and exposed by the

대표청구항

The invention claimed is: 1. A wafer structure, comprising: a wafer having a plurality of bonding pads, wherein the bonding pads are disposed on an active surface of the wafer; a first passivation layer covering the active surface of the wafer, wherein the bonding pads are not fully covered by the

이 특허에 인용된 특허 (11)

  1. Nikhil Vishwanath Kelkar ; Stephen A. Gee, Barrier pad for wafer level chip scale packages.
  2. Hirano Naohiko (Kawasaki JPX) Doi Kazuhide (Kawasaki JPX) Miura Masayuki (Kawasaki JPX) Okada Takashi (Kawasaki JPX) Hiruta Yoichi (Kashiwa JPX), Connecting electrode portion in semiconductor device.
  3. Degani Yinon ; Kossives Dean Paul, Flip chip bump bonding.
  4. Sharma Ravinder K. (Mesa AZ) Geyer Harry J. (Phoenix AZ) Mitchell Douglas G. (Tempe AZ), Metallization scheme providing adhesion and barrier properties.
  5. Lei,Kuo Lung, Method for forming copper bump antioxidation surface.
  6. Stuart E. Greer, Method of forming copper interconnection utilizing aluminum capping film.
  7. Hosomi Eiichi (Kawasaki JPX) Takubo Chiaki (Yokohama JPX) Tazawa Hiroshi (Ichikawa JPX) Miyamoto Ryouichi (Kawasaki JPX) Arai Takashi (Oita JPX) Shibasaki Koji (Kawasaki JPX), Semiconductor device comprising fine bump electrode having small side etch portion and stable characteristics.
  8. Ono, Atsushi; Chikawa, Yasunori; Kanda, Makoto; Nie, Norimitsu; Tone, Satoru; Shiota, Motoji; Inohara, Akio; Yoshida, Hirokazu, Semiconductor device including bump electrodes.
  9. Nishiguchi Masanori (Yokohama JPX), Semiconductor device with bumps.
  10. Efland Taylor R. ; Mai Quang X. ; Williams Charles E. ; Keller Stephen A., Thick plated interconnect and associated auxillary interconnect.
  11. Wang, Chung Yu; Huang, Chender; Tsao, Pei-Haw; Chen, Ken; Huang, Hank, Under bump metallization structure.

이 특허를 인용한 특허 (9)

  1. Camacho, Zigmund Ramirez, Integrated circuit packaging system with wafer level reconfiguration and method of manufacture thereof.
  2. Chang, Yi-Chi, Power MOSFET and manufacturing method thereof.
  3. Lin, Li-Jen; Murphy, Stephen A.; Sun, Wei, Semiconductor device and method of forming a dual UBM structure for lead free bump connections.
  4. Lin, Li-Jen; Murphy, Stephen A.; Sun, Wei, Semiconductor device and method of forming a dual UBM structure for lead free bump connections.
  5. Bauer,Michael; Escher Poeppel,Irmgard; Fuergut,Edward; Jerebic,Simon; Woerner,Holger, Semiconductor device with a recessed bond pad.
  6. Watanabe, Kiyonori, Semiconductor device with interface peeling preventing rewiring layer.
  7. Watanabe, Kiyonori, Semiconductor device with interface peeling preventing rewiring layer.
  8. Kaneko, Kentaro, Wiring board and method of producing the same.
  9. Kaneko, Kentaro, Wiring board and method of producing the same.
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