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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0102264 (2005-04-07) |
등록번호 | US-7276770 (2007-10-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 8 인용 특허 : 13 |
Fast silicon diodes and arrays with high quantum efficiency built on dielectrically isolated wafers. A waveguide is formed in the top surface of the silicon that utilizes total internal reflection from the Si--Si Oxide interface to form an internal mirror. This mirror reflects incoming light into th
What is claimed is: 1. A photodiode comprising: an active volume of silicon of a first conductivity type having a top surface, a bottom surface and side surfaces; a first silicon layer on the bottom surface of the active volume of silicon, the first silicon layer being of the first conductivity typ
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