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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0348502 (2006-02-07) |
등록번호 | US-7288418 (2007-10-30) |
우선권정보 | FR-99 10667(1999-08-20) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 13 인용 특허 : 7 |
A process for treating substrates for the microelectronics or optoelectronics industry, wherein the substrates include on at least one of their faces a working layer in which components are intended to be formed. The process includes a step of annealing under a reductive atmosphere followed by a ste
What is claimed is: 1. A process for treating microelectronic or optoelectronic substrates that have a working layer with a rough free surface thereof created by a layer transfer technique, which process comprises the steps of annealing the substrate and rough free surface under a reductive atmosph
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