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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0165895 (2005-06-24) |
등록번호 | US-7288430 (2007-10-30) |
우선권정보 | FR-00 15279(2000-11-27); EP-03291284(2003-05-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 13 |
An efficient method of fabricating a high-quality heteroepitaxial microstructure having a smooth surface. The method includes detaching a layer from a base structure to provide a carrier substrate having a detached surface, and then forming a heteroepitaxial microstructure on the detached surface of
What is claimed is: 1. A method of fabricating a heteroepitaxial microstructure which comprises: detaching a layer from a base structure to provide a carrier substrate having a detached surface by implanting atomic species into the base structure to provide an implanted base structure that defines
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