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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0018130 (2004-12-21) |
등록번호 | US-7313019 (2007-12-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 19 인용 특허 : 18 |
A step voltage generator includes multiple trainable voltage references. Each of the trimmable voltage references uses a flash cell with a variable threshold voltage and a feedback loop to trim a reference voltage. The threshold voltage of the flash cell can be programmed to affect the reference vol
What is claimed is: 1. A multi-level cell flash memory device comprising: an array of flash memory cells, the array of flash memory cells having wordlines coupled thereto; and at least one step voltage generator coupled to the wordlines, wherein the at least one step voltage generator includes a vo
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