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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0974020 (2004-10-27) |
등록번호 | US-7314593 (2008-01-01) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 6 |
Improved silicon carbide powder is prepared by carbothermal reduction of silica by introducing β-SiC powder simultaneously with iron in the starting composition resulting into a precursor powder which after complete reduction contains at least 90% SiC preferably rich in the β-phase. The ma
We claim: 1. A process for the preparation of improved silicon carbide powder, said process comprising: (a) homogenizing and powdering a composition consisting essentially of: 41 to 53 weight % SiO2, 26 to 35 weight % C, 3.5 to 14 weight % β-SiC and 12 to 26 weight % Fe(NO3)3.9H2O, (b) drying
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