$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

High-frequency power supply structure and plasma CVD device using the same 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01J-007/24
  • H01J-007/00
출원번호 US-0506544 (2003-03-13)
등록번호 US-7319295 (2008-01-15)
우선권정보 JP-2002-070181(2002-03-14)
국제출원번호 PCT/JP03/002986 (2003-03-13)
§371/§102 date 20050114 (20050114)
국제공개번호 WO03/077293 (2003-09-18)
발명자 / 주소
  • Mashima,Hiroshi
  • Kawamura,Keisuke
  • Takano,Akemi
  • Takeuchi,Yoshiaki
  • Shigemizu,Tetsuro
  • Aoi,Tatsufumi
출원인 / 주소
  • Mitsubishi Heavy Industries, Ltd.
대리인 / 주소
    Oblon, Spivak, McClelland, Maier & Neustadt, P.C.
인용정보 피인용 횟수 : 9  인용 특허 : 14

초록

A radio frequency power supply structure and a plasma CVD device comprising the same are provided in which reflection of radio frequency power at a connecting portion where an RF cable connects to an electrode is reduced so that incidence of the radio frequency power into the electrode increases. In

대표청구항

What is claimed is: 1. A radio frequency power supply structure for use in a device generating plasma by charging a plate-like electrode, facing an earth electrode, with a radio frequency power, said radio frequency power supply structure supplying said plate-like electrode with the radio frequency

이 특허에 인용된 특허 (14)

  1. Yang, Jang Gyoo; Hoffman, Daniel J.; Carducci, James D.; Buchberger, Jr., Douglas A.; Hagen, Melissa; Miller, Matthew L.; Chiang, Kang-Lie; Delgadino, Gerardo A., Capacitively coupled plasma reactor with uniform radial distribution of plasma.
  2. Hideo Yamakoshi JP; Kengou Yamaguchi JP; Masayoshi Murata JP; Yoshiaki Takeuchi JP; Yoshikazu Nawata JP; Koji Satake JP; Satoshi Kokaji JP; Shoji Morita JP; Masatoshi Hisatome JP; Tatsuji Ho, Discharge electrode, RF plasma generation apparatus using the same, and power supply method.
  3. Johnson Wayne L. ; Parsons Richard, Electrical impedance matching system and method.
  4. Leonard J. Mahoney ; Gregory A. Roche ; Daniel C. Carter, Inductively coupled ring-plasma source apparatus for processing gases and materials and method thereof.
  5. DiVergilio William F. ; Kellerman Peter L. ; Ryan Kevin T., Integrated power oscillator RF source of plasma immersion ion implantation system.
  6. Maher, Jr., Joseph A.; Zafiropoulo, Arthur W., Multi-planar electrode plasma etching.
  7. Lenz Eric H. (San Jose CA) Dible Robert D. (Fremont CA), Plasma etching apparatus utilizing plasma confinement.
  8. Morita Katsumi (Matsudo JPX), Plasma generation apparatus with interleaved electrodes and corresponding method.
  9. Babu Suryadevara V. (Potsdam NY) Lu Neng-hsing (Endwell NY) Nilsen Carl-Otto (Vestal NY), Plasma processing apparatus including three bus structures.
  10. MacGearailt, Niall, Plasma processor method and apparatus.
  11. Moslehi Mehrdad M. (Dallas TX), Plasma-assisted processing magneton with magnetic field adjustment.
  12. Hamamoto Kazutoshi (Nagasaki JPX) Uchida Satoshi (Nagasaki JPX) Murata Masayoshi (Nagasaki JPX) Takeuchi Yoshiaki (Nagasaki JPX) Kodama Masaru (Nagasaki JPX), Plasma-chemical vapor-phase epitaxy system comprising a planar antenna.
  13. Takahashi Sotoo,JPX ; Fukaya Matsuo,JPX, Temperature sensor.
  14. Holland John Patrick ; Demos Alex, Vacuum plasma processor having coil with added conducting segments to its peripheral part.

이 특허를 인용한 특허 (9)

  1. Savas, Stephen Edward; Mantripragada, Sai; Joh, Sooyun; Wiesnoski, Allan B.; Galewski, Carl, Apparatus and method for dielectric deposition.
  2. Ko, Hee-Jin; Chung, Woo-Young, Electrode device and apparatus for generating plasma.
  3. Savas, Stephen E.; Wiesnoski, Allan; Chatham, Hood; Galewski, Carl, Method for deposition of high-performance coatings and encapsulated electronic devices.
  4. Savas, Stephen E.; Galewski, Carl; Wiesnoski, Allan B.; Mantripragada, Sai; Joh, Sooyun, Methods for plasma processing.
  5. Savas, Stephen E.; Galewski, Carl; Wiesnoski, Allan B.; Mantripragada, Sai; Joh, Sooyun, Methods for plasma processing.
  6. Savas, Stephen E.; Galewski, Carl; Wiesnoski, Allan B.; Mantripragada, Sai; Joh, Sooyun, Methods for plasma processing.
  7. Savas, Stephen Edward; Galewski, Carl; Wiesnoski, Allan B.; Mantripragada, Sai; Joh, Sooyun, Methods for plasma processing.
  8. Savas, Stephen Edward; Galewski, Carl; Wiesnoski, Allan B.; Mantripragada, Sai; Joh, Sooyun, Plasma generating units for processing a substrate.
  9. Karlquist, Richard Keith; Savas, Stephen Edward; Weisse, Robert Eugene, System and method for distributing RF power to a plasma source.
섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로