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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0418973 (2006-05-05) |
등록번호 | US-7320896 (2008-01-22) |
우선권정보 | EP-97870044(1997-03-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 41 |
Electronic devices are disclosed that may be used for infrared radiation detection. An example electronic device includes a substrate, a transistor included in the substrate and a silicon-germanium (Si--Ge) structural layer coupled with the transistor. The structural layer has a stress in a predeter
We claim: 1. An electronic device comprising: a substrate; a transistor included in the substrate; and a silicon-germanium (Si--Ge) structural layer coupled with the transistor, wherein the structural layer: (i) has a stress in a predetermined range, the predetermined range for the stress being sel
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