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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0089064 (2005-03-24) |
등록번호 | US-7323052 (2008-01-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 7 |
An apparatus and method for growing bulk single crystals of silicon carbide is provided. The apparatus includes a sublimation chamber with a silicon vapor species phase outlet that allows the selective passage of atomic silicon vapor species while minimizing the concurrent passage of other vapor pha
That which is claimed is: 1. An apparatus for the production of bulk silicon carbide single crystals, comprising: a chamber for subliming a silicon carbide source material and transporting the sublimed silicon carbide source material to a silicon carbide crystal growth surface; a silicon carbide se
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