최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0229698 (2005-09-20) |
등록번호 | US-7323398 (2008-01-29) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 4 |
A method of manufacturing a crystalline wafer that includes implanting first atomic species in a donor substrate to form a region of weakness at a first depth therein and configured to facilitate detachment of a first layer of the donor substrate from a remaining portion of the donor substrate. The
What is claimed is: 1. A method of manufacturing a crystalline wafer, comprising: implanting first atomic species in a donor substrate to form a region of weakness at a first depth therein and configured to facilitate detachment of a first layer of the donor substrate from a remaining portion of th
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.