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Method of layer transfer comprising sequential implantations of atomic species

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/46
  • H01L-021/02
  • H01L-021/30
출원번호 US-0229698 (2005-09-20)
등록번호 US-7323398 (2008-01-29)
발명자 / 주소
  • Akatsu,Takeshi
출원인 / 주소
  • S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
대리인 / 주소
    Winston & Strawn LLP
인용정보 피인용 횟수 : 10  인용 특허 : 4

초록

A method of manufacturing a crystalline wafer that includes implanting first atomic species in a donor substrate to form a region of weakness at a first depth therein and configured to facilitate detachment of a first layer of the donor substrate from a remaining portion of the donor substrate. The

대표청구항

What is claimed is: 1. A method of manufacturing a crystalline wafer, comprising: implanting first atomic species in a donor substrate to form a region of weakness at a first depth therein and configured to facilitate detachment of a first layer of the donor substrate from a remaining portion of th

이 특허에 인용된 특허 (4)

  1. Kuwabara, Susumu; Mitani, Kiyoshi; Tate, Naoto; Nakano, Masatake; Barge, Thierry; Maleville, Christophe, Method for reclaiming delaminated wafer and reclaimed delaminated wafer.
  2. Goesele Ulrich M. ; Tong Qin-Yi, Method for the transfer of thin layers monocrystalline material onto a desirable substrate.
  3. Sakaguchi Kiyofumi,JPX ; Yonehara Takao,JPX ; Nishida Shoji,JPX ; Yamagata Kenji,JPX, Process for producing semiconductor article.
  4. Bruel Michel (Veurey FRX), Process for the production of thin semiconductor material films.

이 특허를 인용한 특허 (10)

  1. Holme, Timothy P.; Prinz, Friedrich B.; Usui, Takane, All-electron battery having area-enhanced electrodes.
  2. Holme, Timothy P.; Prinz, Friedrich B.; Van Stockum, Philip B., High energy storage capacitor by embedding tunneling nano-structures.
  3. Cherekdjian, Sarko; Cites, Jeffrey Scott; Couillard, James Gregory; Maschmeyer, Richard Orr; Moore, Michael John; Usenko, Alex, Methods and apparatus for producing semiconductor on insulator structures using directed exfoliation.
  4. Cherekdjian, Sarko; Cites, Jeffrey Scott; Couillard, James Gregory; Maschmeyer, Richard Orr; Moore, Michael John; Usenko, Alex, Methods and apparatus for producing semiconductor on insulator structures using directed exfoliation.
  5. Holme, Timothy P.; Prinz, Friedrich B., Quantum dot ultracapacitor and electron battery.
  6. Cherekdjian, Sarko, Semiconductor structure made using improved multiple ion implantation process.
  7. Cherekdjian, Sarko, Semiconductor structure made using improved multiple ion implantation process.
  8. Cherekdjian, Sarko, Semiconductor structure made using improved pseudo-simultaneous multiple ion implantation process.
  9. Cherekdjian, Sarko, Semiconductor structure made using improved simultaneous multiple ion implantation process.
  10. Radovanov, Svetlana B.; Godet, Ludovic; Renau, Anthony; Lu, Xianfeng, Techniques and apparatus for high rate hydrogen implantation and co-implantion.
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