[특허]Solar cell and method of manufacture

SunPower Corporation

검색어에 아래의 연산자를 사용하시면 더 정확한 검색결과를 얻을 수 있습니다.
검색연산자

검색도움말
검색연산자	기능	검색시 예
()	우선순위가 가장 높은 연산자	예1) (나노 (기계 \| machine))
공백	두 개의 검색어(식)을 모두 포함하고 있는 문서 검색	예1) (나노 기계) 예2) 나노 장영실
\|	두 개의 검색어(식) 중 하나 이상 포함하고 있는 문서 검색	예1) (줄기세포 \| 면역) 예2) 줄기세포 \| 장영실
!	NOT 이후에 있는 검색어가 포함된 문서는 제외	예1) (황금 !백금) 예2) !image
*	검색어의 *란에 0개 이상의 임의의 문자가 포함된 문서 검색	예) semi*
""	따옴표 내의 구문과 완전히 일치하는 문서만 검색	예) "Transform and Quantization"

과학기술 지식인프라 ScienceON

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

특허 상세정보

MyON담기

내보내기 페이스북 공유 트위터 공유 카카오톡 공유

Solar cell and method of manufacture

특허상세정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-031/00
미국특허분류(USC)	136/256; 136/261
출원번호	US-0412638 (2003-04-10)
등록번호	US-7339110 (2008-03-04)
발명자 / 주소	Mulligan,William P. Cudzinovic,Michael J. Pass,Thomas Smith,David Kaminar,Neil McIntosh,Keith Swanson,Richard M.
출원인 / 주소	SunPower Corporation
대리인 / 주소	Okamoto & Benedicto LLP
인용정보	피인용 횟수 : 118 인용 특허 : 9

초록
▼

A solar cell that is readily manufactured using processing techniques which are less expensive than microelectronic circuit processing. In preferred embodiments, printing techniques are utilized in selectively forming masks for use in etching of silicon oxide and diffusing dopants and in forming metal contacts to diffused regions. In a preferred embodiment, p-doped regions and n-doped regions are alternately formed in a surface of the wafer in offset levels through use of masking and etching techniques. Metal contacts are made to the p-regions and n-regions by first forming a seed layer stack that comprises a first layer such as aluminum that contacts silicon and functions as an infrared reflector, second layer such titanium tungsten that acts as diffusion barrier, and a third layer functions as a plating base. A thick conductive layer such as copper is then plated over the seed layer, and the seed layer between plated lines is removed. A front surface of the wafer is preferably textured by etching or mechanical abrasion with an antireflection layer provided over the textured surface. A field layer can be provided in the textured surface with the combined effect being a very low surface recombination velocity.

대표
청구항
▼

What is claimed is: 1. A solar cell comprising: a) a silicon substrate having a front surface and a back surface, b) a plurality of first doped regions of first conductivity type in the back surface and a plurality of second doped regions of second conductivity type in the back surface, and c) a first plurality of metal contacts ohmically contacting the first doped regions at a first plurality of contact points and a second plurality of metal contacts ohmically contacting the second doped layers at a second plurality of contact points, wherein the first and second pluralities of metal contacts each comprise a thin seed layer contacting the silicon substrate and an electrically conductive layer over the seed layer which is thicker than the seed layer and wherein the seed layer comprises three layers including, a first layer that contacts the silicon and serves as an infrared reflector, the first layer comprising aluminum, a barrier layer that covers the first layer, and a layer that covers the barrier layer that serves to initiate plating. 2. The solar cell as defined by claim 1, wherein the front surface is textured to facilitate the capture of impinging photons. 3. The solar cell as defined by claim 2, and further including an antireflection coating over the textured front surface. 4. The solar cell as defined by claim 3, wherein the antireflection coating comprises a nitride. 5. The solar cell as defined by claim 4, wherein the antireflection coating comprises silicon nitride. 6. The solar cell as defined by claim 3, wherein the antireflection coating comprises titanium oxide. 7. The solar cell as defined by claim 3, wherein the substrate comprises monocrystalline silicon. 8. The solar cell as defined by claim 7, wherein the monocrystalline silicon has a (100) lattice structure on the front surface. 9. The solar cell as defined by claim 3, wherein the substrate comprises polycrystalline silicon with a minority carrier lifetime greater than 200 microseconds. 10. The solar cell as defined by claim 3, wherein the substrate is doped n-type with a resistivity range of 1-20 ohm-cm. 11. The solar cell as defined by claim 1 wherein the plurality of first doped regions are in first offset layers and the plurality of second doped regions are in second offset layers on the back surface. 12. A solar cell comprising: a) a silicon substrate having a front surface and a back surface, b) a plurality of first doped regions of first conductivity type in the back surface and a plurality of second doped regions of second conductivity type in the back surface, and c) a first plurality of metal contacts ohmically contacting the first doped regions at a first plurality of contact points and a second plurality of metal contacts ohmically contacting the second doped layers at a second plurality of contact points, wherein the first and second pluralities of metal contacts each comprise a thin seed layer contacting the silicon substrate and an electrically conductive layer over the seed layer which is thicker than the seed layer and wherein the seed layer is a 2-layer stack comprising: a first layer that contacts the silicon serves as an infrared reflector, the first layer comprising aluminum, and a barrier layer that covers the first layer and also serves to initiate plating. 13. A solar cell comprising: a) a silicon substrate having a front surface and a back surface, b) a plurality of first doped regions of first conductivity type in the back surface and a plurality of second doped regions of second conductivity type in the back surface, c) a thermal oxide layer formed on back portions of the first doped regions and on back portions of the second doped regions, the oxide layer having a plurality of contact openings that expose selected back portions of the first and second doped regions defining a plurality of contact points, and d) a first plurality of metal contacts ohmically contacting the first doped regions through said contact openings at a first plurality of contact points and a second plurality of metal contacts ohmically contacting the second doped layers through said contact openings at a second plurality of contact points, e) the first and second pluralities of metal contacts each comprising a three layer contact surface that includes, an aluminum layer that contacts the oxide layer and contacts the exposed back portions of the first and second doped regions, wherein the interface of the aluminum layer and the oxide layer serves as an infrared reflector, a copper diffusion barrier layer that covers the aluminum layer, and a copper plating initiation layer that covers the barrier layer. 14. The solar cell of claim 13 wherein a bulk copper layer is formed over the plating initiation layer to provide a set of interdigitated copper contacts. 15. The solar cell as defined by claim 13, wherein the front surface is textured such that the interaction between the textured front surface and the back infrared reflective interface operate to increase the optical path length for infrared photons incident on the cell. 16. The solar cell as defined by claim 15, and further including an antireflection coating over the textured front surface.

이 특허에 인용된 특허 (9)

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 118

IPC 상위 출원인

내보내기

상세정보
내보내기 구분	파일저장 인쇄 메일전송
구성항목	관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
저장형식	Text(ASCII format) Excel format PIAS분석(.xls)
메일정보	받는사람 (필수) @ 보내는사람 (선택) @ 제목 내용 KISTI 검색결과 이메일 서비스
안내	> 총 건의 자료가 검색되었습니다. > 다운받으실 자료의 인덱스를 입력하세요. (1-10,000) > 검색결과의 순서대로 최대 10,000건 까지 다운로드가 가능합니다. > 데이타가 많을 경우 속도가 느려질 수 있습니다.(최대 2~3분 소요) > 다운로드 파일은 UTF-8 형태로 저장됩니다. 파일의 내용이 제대로 보이지 않을실 때는 웹브라우저 상단의 보기 -> 인코딩 -> 자동선택 여부를 확인하십시오 > ~ > Text(ASCII format) Excel format

과학기술 지식인프라 ScienceON

ScienceON Chatbot

연합인증

특허 상세정보

Solar cell and method of manufacture

초록
▼

대표
청구항
▼

이 특허에 인용된 특허 (9)

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 118

IPC 상위 출원인

과제정보

상세정보조회

원문조회

IPC 상세정보(version : 201201)

연구과제 성과물(0)

참여연구원의 다른 문헌(0)

처리중입니다.

잠시만 기다려주세요.

ScienceON Chatbot

연합인증

특허 상세정보

Solar cell and method of manufacture

초록 ▼

대표청구항 ▼

이 특허에 인용된 특허 (9)

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 118

IPC 상위 출원인

과제정보

상세정보조회

원문조회

IPC 상세정보(version : 201201)

연구과제 성과물(0)

참여연구원의 다른 문헌(0)

처리중입니다.

잠시만 기다려주세요.

초록
▼

대표
청구항
▼