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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0004808 (2004-12-07) |
등록번호 | US-7341927 (2008-03-11) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 12 인용 특허 : 42 |
A heterostructure device layer is epitaxially grown on a virtual substrate, such as an InP/InGaAs/InP double heterostructure. A device substrate and a handle substrate form the virtual substrate. The device substrate is bonded to the handle substrate and is composed of a material suitable for fabric
We claim: 1. A method for forming a virtual substrate, comprising: (1) ion implanting a device substrate; (2) bonding the device substrate to a handle substrate; (3) removing a portion of the device substrate thereby leaving a device film bonded to the handle substrate; and (4) removing an upper po
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