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특허 상세정보

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Ferroelectric capacitor circuit for sensing hydrogen gas

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H01L-029/769    H01L-021/00    H01L-027/148   
미국특허분류(USC) 257/296; 257/241; 257/295; 257/E21.664; 257/E23.075; 438/003
출원번호 US-0239459 (2005-09-23)
등록번호 US-7345331 (2008-03-18)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    Tarlano,John
인용정보 피인용 횟수 : 0  인용 특허 : 9
초록
▼

A ferroelectric capacitor circuit for sensing hydrogen gas having a closed integrated circuit package, a ferroelectric capacitor within the closed integrated circuit package, the ferroelectric capacitor having a bismuth oxide based ferroelectric layer being able to absorb hydrogen gas that is within the closed integrated circuit package, absorbed hydrogen gas chemically reducing a portion of the bismuth oxide based ferroelectric layer into bismuth metal, the ferroelectric capacitor having a ferroelectric voltage, the ferroelectric voltage having a voltag...

대표
청구항
▼

What is claimed is: 1. A ferroelectric capacitor circuit for sensing hydrogen gas, comprising: (a) a closed integrated circuit package; (b) a ferroelectric capacitor within the closed integrated circuit package, the ferroelectric capacitor comprising a bismuth oxide based ferroelectric layer between a first capacitor plate and a second capacitor plate, an outer perimeter of the bismuth oxide based ferroelectric layer being exposed within the closed integrated circuit package, the outer perimeter of the bismuth oxide based ferroelectric layer being able ...

이 특허에 인용된 특허 (9)

  1. Ramer O. Glenn ; Robinson David A. ; Drab John J.. Bismuth layered structure pyroelectric detectors. USP1998095804823.
  2. Nakamura, Takashi. Ferroelectric capacitor and a method for manufacturing thereof. USP2004026693791.
  3. Cuchiaro Joseph D. ; Furuya Akira,JPX ; Paz de Araujo Carlos A. ; Miyasaka Yoichi,JPX. Ferroelectric integrated circuit having low sensitivity to hydrogen exposure and method for fabricating same. USP2001056225156.
  4. Eliason Jarrod. Ferroelectric voltage boost circuits. USP2001086275425.
  5. Coles Gary S. V. (Swansea GBX) Williams Geraint (Swansea GBX). Gas sensors. USP1995115470756.
  6. Dougherty Thomas K. ; Ramer O. Glenn ; Dyer Venita L.. Hydrogen getters and methods for fabricating sealed microelectronic packages employing same. USP2001036203869.
  7. Ramer O. Glenn ; Rosser Robin W.. In situ reactive layers for protection of ferroelectric integrated circuits. USP1998065760433.
  8. Moritz,Werner; Szeponik,Jan. Semiconductor type hydrogen sensor, detection method and hydrogen detecting device. USP2007067231810.
  9. Camanzi Alberto (Tor Lupara ITX) Sberveglieri Giorgio (Cavriago ITX). Solid-state sensor for determining hydrogen and/or NOx concentration and the method for its preparation

IPC 상위 출원인