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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0913701 (2004-08-06) |
등록번호 | US-7348258 (2008-03-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 31 인용 특허 : 177 |
A technique for forming a film of material (12) from a donor substrate (10). The technique has a step of forming a stressed region in a selected manner at a selected depth (20) underneath the surface. An energy source such as pressurized fluid is directed to a selected region of the donor substrate
What is claimed is: 1. A method for processing bonded substrates, the method comprising: providing a bonded substrate, the bonded substrate including a first substrate member coupled to a second substrate member, the bonded substrate comprises an interface region; providing energy using a static pr
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