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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0240885 (2005-09-30) |
등록번호 | US-7351651 (2008-04-01) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 15 |
A metal structure for an integrated circuit, which has copper interconnecting metallization (311) protected by an overcoat layer (320). A portion of the metallization is exposed in a window (301) opened through the thickness of the overcoat layer. The metal structure comprises a patterned conductive
We claim: 1. A wafer-level method of fabricating a metal structure for a contact pad of an integrated circuit having copper interconnecting metallization protected by an overcoat layer including silicon nitride, comprising the steps of: opening a window in said overcoat layer to expose said copper
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