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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0227068 (2002-08-23) |
등록번호 | US-7358121 (2008-04-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 86 인용 특허 : 56 |
The present invention is a semiconductor device comprising a semiconductor body having a top surface and laterally opposite sidewalls formed on a substrate. A gate dielectric layer is formed on the top surface of the semiconductor body and on the laterally opposite sidewalls of the semiconductor bod
We claim: 1. A method of forming a transistor comprising: forming a semiconductor body having a top surface and laterally opposite sidewalls on a substrate; forming a continuous gate dielectric on said top surface of said semiconductor body and on said laterally opposite sidewalls of said semicondu
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