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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0154907 (2005-06-16) |
등록번호 | US-7358164 (2008-04-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 19 |
Methods of forming semiconductor structures characterized by a thin active silicon layer on an insulating substrate by a crystal imprinting or damascene approach. The methods include patterning an insulating layer to define a plurality of apertures, filling the apertures in the patterned insulating
What is claimed is: 1. A method of fabricating a semiconductor structure on an insulating substrate covered by an insulating layer, comprising: patterning the insulating layer to define a plurality of apertures; filling the apertures in the patterned insulating layer with amorphous silicon to defin
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