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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0503944 (2006-08-15) |
등록번호 | US-7361521 (2008-04-22) |
우선권정보 | KR-10-2005-0075159(2005-08-17) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 0 |
The present invention relates to a method of manufacturing a vertical GaN-based LED. The method includes forming an insulating pattern on a substrate to define LED regions having a predetermined size; sequentially stacking an n-type GaN-based semiconductor layer, an active layer, and a p-type GaN-ba
What is claimed is: 1. A method of manufacturing a vertical GaN-based LED (light emitting diode) device, the method comprising: forming an insulating pattern on a substrate to define LED regions having a predetermined size; sequentially stacking an n-type GaN-based semiconductor layer, an active la
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