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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0468998 (2006-08-31) |
등록번호 | US-7361589 (2008-04-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 15 |
An integrated circuit (IC) may include a substrate, a first dielectric layer adjacent the substrate, and at least one trench in the first dielectric layer. The IC may also include a metal liner within the at least one trench, and a first conductive region including copper within the at least one tre
That which is claimed is: 1. A method for manufacturing a Damascene-type integrated circuit, comprising: forming copper based interconnect using a damascene-type process; adding a first metal-based cap to a surface of said interconnect, thereby forming a capped interconnect; forming a dielectric la
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