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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0481578 (2002-06-21) |
등록번호 | US-7364714 (2008-04-29) |
우선권정보 | JP-2001-191226(2001-06-25) |
국제출원번호 | PCT/JP02/006236 (2002-06-21) |
§371/§102 date | 20031222 (20031222) |
국제공개번호 | WO03/000965 (2003-01-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 5 |
3C--SiC nanowhisker and a method of synthesizing 3C--SiC nanowhisker wherein its diameter and length can be controlled. The method is safe and low cost, and the whisker can emit visible light of various wavelengths. 3C--SiC nanowhisker is formed by depositing thin film (2) made of a metal element on
What is claimed is: 1. A synthesizing method of 3C--SiC nanowhiskers, characterized in that it comprises the steps of: predetermining a desired diameter of the 3C--SiC nanowhisker; selecting a thickness of a thin film made of a metal element or metal elements based on the predetermined desired diam
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