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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0971374 (2004-10-22) |
등록번호 | US-7368330 (2008-05-06) |
우선권정보 | KR-2001-68159(2001-11-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 10 |
A semiconductor device, capable of improving integration density and solving problems that may occur in a laser repair process, and a method of fabricating the same are provided. A fuse circuit is formed in a cell region, not in a peripheral region, and thus it is possible to reduce the size of a se
What is claimed is: 1. A method of fabricating a semiconductor device, the method comprising: forming a lower structure having a pad on a semiconductor substrate, the lower structure performing the functions of a memory and being divided into a cell region and a peripheral region; forming a passiva
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