최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0864917 (2004-06-09) |
등록번호 | US-7368380 (2008-05-06) |
우선권정보 | JP-2003-163401(2003-06-09) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 14 |
A method of manufacturing a semiconductor device is disclosed in which a metallic deposit is stably formed on the anode side with small variation in film thickness, and plating is prevented on the cathode side without carrying out any additional processing on the cathode side. The processed anode si
What is claimed is: 1. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: providing a metal electrode on both the top and bottom surface of a semiconductor substrate, wherein the metal electrode on the top surface is an aluminum electrode, forming a scribe line on one of the surfaces of
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.