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Programmable memory cell and operation method 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • G11C-011/00
  • G11C-011/14
  • G11C-011/02
출원번호 US-0271550 (2005-11-09)
등록번호 US-7369424 (2008-05-06)
발명자 / 주소
  • Su,Keng Li
  • Sheu,Shyh Shyuan
  • Lin,Jan Ruel
  • Chang,Wei Jen
  • Kung,Chen Pang
출원인 / 주소
  • Industrial Technology Research Institute
대리인 / 주소
    J.C. Patents
인용정보 피인용 횟수 : 0  인용 특허 : 8

초록

A memory array including a plurality of programmable memory cells, a plurality of column lines and a plurality of row lines is introduced. Each of the programmable memory cells is coupled to corresponding one of the column lines and corresponding one of the row lines. Each of the programmable memor

대표청구항

What is claimed is: 1. A programmable memory cell, comprising: an organic memory cell, for storing a plurality of corresponding information bits, wherein the organic memory cell coupled to a common electrode; and a switching element, coupled to the organic memory cell other than the terminal couple

이 특허에 인용된 특허 (8)

  1. Gudesen, Hans Gude; Nordal, Per-Erik; Leistad, Geirr I.; Carlsson, Johan; Gustafsson, Göran; Thompson, Michael O, Data storage and processing apparatus, and method for fabricating the same.
  2. Inganas Olle Werner,SEX ; Pede Danilo,ITX ; Granstrom Magnus,SEX ; Leistad Geirr Ivarsson,NOX, Electrode means, comprising polymer materials, with or without functional elements and an electrode device formed of said means.
  3. Krieger, Juri H.; Yudanov, Nikolai, Memory device with active passive layers.
  4. Miyawaki,Mamoru; Guirong,Liang, Non-volatile memory using organic bistable device.
  5. Naito Katsuyuki (Yokohama JPX) Egusa Syun (Yokohama JPX) Gemma Nobuhiro (Yokohama JPX), Organic dye thin film and organic thin film element.
  6. Hush, Glen, Programmable conductor random access memory and a method for writing thereto.
  7. Casper, Stephen L.; Duesman, Kevin; Hush, Glen, Programmable conductor random access memory and method for sensing same.
  8. Kajiyama,Takeshi, Resistance change memory having organic semiconductor layer.
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