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연합인증

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Silicon carbide single crystal and method and apparatus for producing the same

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C30B-023/00
  • C30B-025/00
  • C30B-028/12
  • C30B-028/00
  • C30B-028/14
출원번호 US-0528556 (2003-09-18)
등록번호 US-7371281 (2008-05-13)
우선권정보 JP-2002-272384(2002-09-19)
국제출원번호 PCT/JP03/011902 (2003-09-18)
§371/§102 date 20051005 (20051005)
국제공개번호 WO04/027122 (2004-04-01)
발명자 / 주소
  • Sakaguchi,Yasuyuki
  • Takagi,Atsushi
  • Oyanagi,Naoki
출원인 / 주소
  • Showa Denko K.K.
대리인 / 주소
    Sughrue Mion, PLLC
인용정보 피인용 횟수 : 0  인용 특허 : 5

초록

A growth crucible (2) for depositing on a seed crystal substrate (5) a silicon carbide single crystal (6) using a sublimate gas of a silicon carbide raw material (11) is disposed inside of an outer crucible (1). During the course of silicon carbide single crystal, a silicon raw material (22) is cont

대표청구항

The invention claimed is: 1. A method for producing a silicon carbide single crystal, comprising the steps of: providing a graphite-made growth crucible with a low-temperature section and a high-temperature section; placing a seed crystal substrate formed of silicon carbide single crystal in the lo

이 특허에 인용된 특허 (5)

  1. Yury Alexandrovich Vodakov RU; Mark Grigorievich Ramm ; Evgeny Nikolaevich Mokhov RU; Alexandr Dmitrievich Roenkov RU; Yury Nikolaevich Makarov ; Sergei Yurievich Karpov RU; Mark Spiridonovich , Method for growing low defect density silicon carbide.
  2. Stein Ren (Rttenbach DEX), Method for manufacturing single-crystal silicon carbide.
  3. Shiomi Hiromu,JPX ; Nishino Shigehiro,JPX, Method of making SiC single crystal and apparatus for making SiC single crystal.
  4. Masashi Shigeto JP; Kotaro Yano JP; Nobuyuki Nagato JP, Process for producing silicon carbide single crystal and production apparatus therefor.
  5. Davis Robert F. (Raleigh NC) Carter ; Jr. Calvin H. (Raleigh NC) Hunter Charles E. (Durham NC), Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide.
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