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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0528556 (2003-09-18) |
등록번호 | US-7371281 (2008-05-13) |
우선권정보 | JP-2002-272384(2002-09-19) |
국제출원번호 | PCT/JP03/011902 (2003-09-18) |
§371/§102 date | 20051005 (20051005) |
국제공개번호 | WO04/027122 (2004-04-01) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 5 |
A growth crucible (2) for depositing on a seed crystal substrate (5) a silicon carbide single crystal (6) using a sublimate gas of a silicon carbide raw material (11) is disposed inside of an outer crucible (1). During the course of silicon carbide single crystal, a silicon raw material (22) is cont
The invention claimed is: 1. A method for producing a silicon carbide single crystal, comprising the steps of: providing a graphite-made growth crucible with a low-temperature section and a high-temperature section; placing a seed crystal substrate formed of silicon carbide single crystal in the lo
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