최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0023640 (2004-12-29) |
등록번호 | US-7381990 (2008-06-03) |
우선권정보 | KR-2001-81446(2001-12-19) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 30 |
A thin film transistor with multiple gates is fabricated using a super grain silicon (SGS) crystallization process. The thin film transistor a semiconductor layer formed in a zigzag shape on an insulating substrate, and a gate electrode intersecting with the semiconductor layer. The semiconductor l
What is claimed is: 1. A thin film transistor comprising: a semiconductor layer formed in a zigzag shape on an insulating substrate; and a gate electrode intersecting with the semiconductor layer; wherein the semiconductor layer has a high-angle grain boundary in a portion of the semiconductor laye
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.