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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0461018 (2006-07-31) |
등록번호 | US-7384809 (2008-06-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 42 인용 특허 : 49 |
A method is disclosed for obtaining a high-resolution lenticular pattern on the surface of a light emitting diode. The method comprises imprinting a patterned sacrificial layer of etchable material that is positioned on a semiconductor surface that is in turn adjacent a light emitting active region,
The invention claimed is: 1. A method of obtaining a lenticular pattern on the surface of a light emitting diode, the method comprising imprinting a pattern into a layer of etchable material that is positioned on a semiconductor surface that is in turn adjacent a light emitting active region and et
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