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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0420900 (2006-05-30) |
등록번호 | US-7405151 (2008-07-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 3 |
A method for forming a semiconductor device is described. An opening is formed in a first dielectric layer, exposing an active region of the transistor, and an atomic layer deposited (ALD) TaN barrier is conformably formed in the opening, at a thickness less than 20 Å. A copper layer is formed
What is claimed is: 1. A method for forming a semiconductor device, comprising: providing a substrate with at least one transistor covered by a first dielectric layer, wherein the first dielectric layer comprises phosphorous-containing dielectric; forming a first opening in the first dielectric lay
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