검색연산자 | 기능 | 검색시 예 |
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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) | H01K-001/56 H01K-001/00 H01J-017/24 H01J-017/02 H01J-061/26 H01J-061/24 |
미국특허분류(USC) | 428/613; 428/660; 428/662; 428/670; 428/632; 428/686; 428/687; 252/181.1; 252/181.6; 313/553; 313/558; 422/211 |
출원번호 | US-0866345 (2004-06-10) |
등록번호 | US-7413814 (2008-08-19) |
우선권정보 | IT-MI2003A1178(2003-06-11) |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 | |
대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 6 인용 특허 : 18 |
Getter multilayer structures are disclosed, embodiments of which include at least a layer of a non-evaporable getter alloy having a low activation temperature over a layer of a different non-evaporable getter material having high specific surface area, both preferably obtained by cathodic deposition. The multilayer NEG structures exhibit better gas sorbing characteristics and lower activation temperature lower than those of deposits made up of a single material. A process for manufacturing such structures includes depositing a first, high surface area NE...
The invention claimed is: 1. A multilayer non-evaporable getter structure comprising a first layer of a non-evaporable getter material having a surface area equivalent to at least 20 times its geometrical area, and directly contacting said first layer, a second layer, having a thickness not greater than 1 μm, of a non-evaporable getter alloy having a low activation temperature. 2. The structure of claim 1, wherein said second layer fully covers said first layer. 3. The structure of claim 1, wherein the getter material of said first layer is se...