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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0599035 (2005-12-26) |
등록번호 | US-7419545 (2008-09-02) |
우선권정보 | JP-2004-380168(2004-12-28) |
국제출원번호 | PCT/JP05/023798 (2005-12-26) |
§371/§102 date | 20060918 (20060918) |
국제공개번호 | WO06/070749 (2006-07-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 4 |
The present invention provides a producing method with which large silicon carbide (SiC) single crystal can be produced at low cost. Silicon carbide single crystal is produced or grown by dissolving and reacting silicon (Si) and carbon (C) in an alkali metal flux. The alkali metal preferably is lit
The invention claimed is: 1. A method for producing a silicon carbide (SiC) single crystal, wherein a simple substance of silicon (Si) and carbon (C) are heated at 1000�� C. or lower, and are dissolved in an alkali metal flux, and are reacted to produce or grow the silicon carbide single crystal.
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