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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0703108 (2007-02-07) |
등록번호 | US-7419763 (2008-09-02) |
우선권정보 | JP-2003-298973(2003-08-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 10 |
A near-field photoresist for formation of a fine pattern with by near-field exposure includes an alkali-soluble novalac resin, a diazyde-type photosensitizer which is photoreactive by near-field exposure, a photoacid generator which generates acid by the near-field exposure, and a solvent.
What is claimed is: 1. A semiconductor device manufacturing method using near-field exposure comprising: preparing an exposure mask provided with a fine pattern; disposing a photoresist layer for near-field exposure on a semiconductor substrate; silylating an upper portion of the photoresist layer;
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