[특허]Near-field exposure photoresist and fine pattern forming method using the same

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	G03F-007/30 G03F-007/023
출원번호	US-0703108 (2007-02-07)
등록번호	US-7419763 (2008-09-02)
우선권정보	JP-2003-298973(2003-08-22)
발명자 / 주소	Yamaguchi,Takako Kuroda,Ryo
출원인 / 주소	Canon Kabushiki Kaisha
대리인 / 주소	Fitzpatrick, Cella, Harper & Scinto
인용정보	피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 10

초록

A near-field photoresist for formation of a fine pattern with by near-field exposure includes an alkali-soluble novalac resin, a diazyde-type photosensitizer which is photoreactive by near-field exposure, a photoacid generator which generates acid by the near-field exposure, and a solvent.

대표청구항 ▼

What is claimed is: 1. A semiconductor device manufacturing method using near-field exposure comprising: preparing an exposure mask provided with a fine pattern; disposing a photoresist layer for near-field exposure on a semiconductor substrate; silylating an upper portion of the photoresist layer; after silylating the upper portion of the photoresist layer, exposing the photoresist layer with light emitted from a light source through the exposure mask in near-field to form a fine pattern at the silylated portion of the photoresist layer; and forming a fine pattern on the semiconductor substrate on the basis of the fine pattern formed at the silylated portion. 2. A semiconductor device manufacturing method according to claim 1, wherein said photoresist layer comprises an alkali-soluble novolac resin, a diazyde-type photosensitizer which is photoreactive by the near-field exposure, a photoacid generator which generates acid by the near-field exposure, and a solvent.

이 특허에 인용된 특허 (10)

Saito, Kenji; Kuroda, Ryo; Inao, Yasuhisa, Exposure method and apparatus using near field light.
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Kuroda Ryo,JPX ; Ikeda Tsutomu,JPX ; Shimada Yasuhiro,JPX, Exposure method and exposure apparatus.
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Stahlhofen Paul (Wiesbaden DEX), Light-sensitive mixture and copying material prepared therefrom with novolak having brominated phenol units.
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Yamaguchi,Takako; Kuroda,Ryo, Near-field exposure photoresist and fine pattern forming method using the same.
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Inao,Yasuhisa; Kuroda,Ryo, Near-field light exposure mask with avoidance of overlap of near-field light, method for manufacturing the same, exposure apparatus and method using near-field light exposure mask, and method for man.
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Kanazawa Daisuke (Yokohama JPX) Sasaki Mitsuru (Yokohama JPX) Urano Toshiyuki (Yokohama JPX) Yamashita Youko (Hino JPX) Matsubara Shinichi (Hachiouji JPX), O-quinonediazide photosensitive composition containing s-triazine compound, novolak resin, vinyl-based polymer and a dye.
상세보기
Hieda Hiroyuki,JPX ; Ishino Takashi,JPX ; Tanaka Kuniyoshi,JPX ; Naito Katsuyuki,JPX, Pattern forming method and method of manufacturing device having fine pattern.
상세보기
Yamaguchi, Takako; Inao, Yasuhisa, Photoresist, photolithography method using the same, and method for producing photoresist.
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Lee Dae-Youp (Seoul KRX) Kim Ki-Dae (Daejon-si KRX) Kim Ji Hong (Daejon-si KRX) Kim Seong-ju (Daejeon-si KRX), Positive photoresist composition containing quinone diazide 5-triazine esterification compound.
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Harper Terence (Leeds GB3) Gates Allen P. (Knaresborough GB3), Positive-working light sensitive diazo materials with azo dye.
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이 특허를 인용한 특허 (1)

Ito, Toshiki; Mizutani, Natsuhiko; Yamaguchi, Takako, Near-field exposure mask, method of producing that mask, near-field exposure apparatus having that mask, and resist pattern forming method.
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관련 콘텐츠

특허 원문 보기

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IPC 상위 출원인

특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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