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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0939006 (2004-09-10) |
등록번호 | US-7422366 (2008-09-09) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 11 |
A current mirror method is provided that can be utilized to evaluate thermal issues is silicon-on-insulator (SOI) bipolar junction transistors (BJTs). The method significantly improves safe operating area (SOA) measurement sensitivity. Unlike conventional methods, the current mirror method can provi
What is claimed is: 1. A method of extracting thermal characteristics in a silicon-on-insulator (SOI) power bipolar junction transistor (BJT) formed in a semiconductor substrate, the method comprising: providing a current mirror structure that includes a reference transistor and the power BJT; meas
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